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Rohm Semiconductor RQ1C065UNTR

Numero parte MFG
RQ1C065UNTR
quantità disponibile
83110 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0.15748
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fabbricante
Rohm Semiconductor
Breve descrizione
- MOSFET N-CH 20V 6.5A TSMT8
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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RQ1C065UNTR specificazioni

codice articolo del costruttore RQ1C065UNTR
Numero di parte futuro FT-RQ1C065UNTR
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie -
RQ1C065UNTR Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 6.5A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22 mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 4.5V
Vgs (massimo) ±10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 870pF @ 10V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 700mW (Ta)
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore TSMT8
Pacchetto / caso 8-SMD, Flat Lead
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
RQ1C065UNTR Peso Contattaci
Numero parte di ricambio RQ1C065UNTR-FT

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