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R6030KNZ1C9 Image

Rohm Semiconductor R6030KNZ1C9

Numero parte MFG
R6030KNZ1C9
quantità disponibile
37570 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 2.848
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fabbricante
Rohm Semiconductor
Breve descrizione
- MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO247
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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R6030KNZ1C9 specificazioni

codice articolo del costruttore R6030KNZ1C9
Numero di parte futuro FT-R6030KNZ1C9
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie -
R6030KNZ1C9 Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 30A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 130 mOhm @ 14.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 56nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2350pF @ 25V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 305W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore TO-247
Pacchetto / caso TO-247-3
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
R6030KNZ1C9 Peso Contattaci
Numero parte di ricambio R6030KNZ1C9-FT

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