casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / ATP112-TL-H
codice articolo del costruttore | ATP112-TL-H |
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Numero di parte futuro | FT-ATP112-TL-H |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
ATP112-TL-H Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 25A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 43 mOhm @ 13A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 33.5nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1450pF @ 20V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 40W (Tc) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | ATPAK |
Pacchetto / caso | ATPAK (2 leads+tab) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ATP112-TL-H Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ATP112-TL-H-FT |
STU6N65K3
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STU9HN65M2
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XC3164A-3TQ144C
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XC7S100-2FGGA484I
Xilinx Inc.
M1A3P400-1FGG484
Microsemi Corporation
A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
5SGXMB6R2F40I2LN
Intel
EP4SGX360NF45C3N
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XC7S50-2CSGA324C
Xilinx Inc.
5CGXFC9A6U19A7N
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5AGXFB1H4F35C4N
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