casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / R6025FNZC8
codice articolo del costruttore | R6025FNZC8 |
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Numero di parte futuro | FT-R6025FNZC8 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
R6025FNZC8 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 25A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180 mOhm @ 12.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 85nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3500pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 150W (Tc) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-3PF |
Pacchetto / caso | TO-3P-3 Full Pack |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
R6025FNZC8 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | R6025FNZC8-FT |
RQ1E100XNTR
Rohm Semiconductor
RQ6P015SPTR
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RSQ015P10TR
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QS6U24TR
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LFXP3C-3TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V4000-5FF1517I
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A54SX72A-FGG256
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M2GL025TS-VFG256
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EP4CGX30CF23I7
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5SGXEB5R1F43I2N
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AGL1000V5-FGG144I
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LFE2M70SE-6FN900I
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EP4SGX70HF35C2G
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