casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / HER602G R0G
codice articolo del costruttore | HER602G R0G |
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Numero di parte futuro | FT-HER602G R0G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
HER602G R0G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 6A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 6A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | 80pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | R6, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | R-6 |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HER602G R0G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | HER602G R0G-FT |
EU 2
Sanken
EU 2A
Sanken
EU 2AV
Sanken
EU 2AV0
Sanken
EU 2V
Sanken
EU 2V0
Sanken
EU 2V1
Sanken
EU 2Z
Sanken
EU 2ZV
Sanken
EU 2ZV0
Sanken
XC3SD3400A-4CS484C
Xilinx Inc.
XC2S50-6FG256C
Xilinx Inc.
M1A3P600-2FG484
Microsemi Corporation
A3P600-1FGG256
Microsemi Corporation
EP4SE360H29I3N
Intel
XC7K410T-3FFG900E
Xilinx Inc.
A42MX16-1TQG176M
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX60DF780C5N
Intel
EP1S40F1020I6N
Intel