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Rohm Semiconductor R6009ENJTL

Numero parte MFG
R6009ENJTL
quantità disponibile
23970 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0.9628
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Data di spedizione
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fabbricante
Rohm Semiconductor
Breve descrizione
- MOSFET N-CH 600V 9A LPT
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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Numero di parte futuro FT-R6009ENJTL
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie -
R6009ENJTL Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 9A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 535 mOhm @ 2.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 23nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 430pF @ 25V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 40W (Tc)
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore LPTS (D2PAK)
Pacchetto / caso TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
R6009ENJTL Peso Contattaci
Numero parte di ricambio R6009ENJTL-FT

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