casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / R6007KNJTL
codice articolo del costruttore | R6007KNJTL |
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Numero di parte futuro | FT-R6007KNJTL |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
R6007KNJTL Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 7A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 620 mOhm @ 2.4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14.5nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 470pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 78W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263 |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
R6007KNJTL Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | R6007KNJTL-FT |
R6020KNZC8
Rohm Semiconductor
R6015KNZC8
Rohm Semiconductor
R6035ENZC8
Rohm Semiconductor
R6030ENZC8
Rohm Semiconductor
R6020ANZC8
Rohm Semiconductor
R6025FNZC8
Rohm Semiconductor
R6025ANZC8
Rohm Semiconductor
R6024ENZC8
Rohm Semiconductor
R6015ENZC8
Rohm Semiconductor
R6046ANZC8
Rohm Semiconductor
LCMXO2-640HC-4SG48C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-1TQG144
Microsemi Corporation
XC6SLX75T-4FGG484C
Xilinx Inc.
A3P600L-1FGG484
Microsemi Corporation
MPF300T-FCG1152E
Microsemi Corporation
A40MX04-FPL68
Microsemi Corporation
AGLN250V5-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGXMA7N2F45C3N
Intel
LFXP6E-3Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSMD4H3F35C4N
Intel