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R6004JND3TL1 Image

Rohm Semiconductor R6004JND3TL1

Numero parte MFG
R6004JND3TL1
quantità disponibile
18970 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0.587216
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fabbricante
Rohm Semiconductor
Breve descrizione
- MOSFET LOW ON-RESISTANCE AND FAS
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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R6004JND3TL1 specificazioni

codice articolo del costruttore R6004JND3TL1
Numero di parte futuro FT-R6004JND3TL1
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie -
R6004JND3TL1 Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 4A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.43 Ohm @ 2A, 15V
Vgs (th) (Max) @ Id 7V @ 450µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10.5nC @ 15V
Vgs (massimo) ±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 260pF @ 100V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 60W (Tc)
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore TO-252
Pacchetto / caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
R6004JND3TL1 Peso Contattaci
Numero parte di ricambio R6004JND3TL1-FT

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