casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / QS5U13TR
codice articolo del costruttore | QS5U13TR |
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Numero di parte futuro | FT-QS5U13TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
QS5U13TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 2A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.9nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±12V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 175pF @ 10V |
Caratteristica FET | Schottky Diode (Isolated) |
Dissipazione di potenza (max) | 1.25W (Ta) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | TSMT5 |
Pacchetto / caso | SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
QS5U13TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | QS5U13TR-FT |
RAL025P01TCR
Rohm Semiconductor
RAL035P01TCR
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RF6C055BCTCR
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XC3S5000-4FGG676I
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