casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / R6002END3TL1
codice articolo del costruttore | R6002END3TL1 |
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Numero di parte futuro | FT-R6002END3TL1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
R6002END3TL1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 1.7A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.4 Ohm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.5nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 65pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 26W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-252 |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
R6002END3TL1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | R6002END3TL1-FT |
RSQ035N03TR
Rohm Semiconductor
RTQ025P02TR
Rohm Semiconductor
RTQ030P02TR
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RTQ035P02TR
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RTQ040P02TR
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QS5U28TR
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QS5U13TR
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QS5U17TR
Rohm Semiconductor
LFXP6E-4T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX16-N3FTG256C
Xilinx Inc.
AGLE3000V5-FG484
Microsemi Corporation
M1A3P250-1PQG208I
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EP3C80F484C7N
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10M50SCE144C8G
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EP1S80F1508C6
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