casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / HER303GA-G
codice articolo del costruttore | HER303GA-G |
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Numero di parte futuro | FT-HER303GA-G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
HER303GA-G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 3A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 200V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-201AA, DO-27, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-27 |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HER303GA-G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | HER303GA-G-FT |
ES01A
Sanken
ES01AV
Sanken
ES01AV0
Sanken
ES01AV1
Sanken
ES01AW
Sanken
ES01F
Sanken
ES01FV
Sanken
ES01FV0
Sanken
ES01FW
Sanken
EU 1
Sanken
XC6SLX4-2TQG144I
Xilinx Inc.
A54SX08-2TQ144I
Microsemi Corporation
XCVU095-H1FFVC1517E
Xilinx Inc.
EPF10K130EFC672-2X
Intel
10AX027E3F27E2SG
Intel
EP3SL110F1152C4LN
Intel
XC4005XL-1PC84C
Xilinx Inc.
LFE2-6SE-6F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX180HF35C4
Intel