casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Embedded - Microcontrollori / R5F64112NLG#U0
codice articolo del costruttore | R5F64112NLG#U0 |
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Numero di parte futuro | FT-R5F64112NLG#U0 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | M16C/R32C/100/111 |
R5F64112NLG#U0 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Processore principale | R32C/100 |
Dimensione del nucleo | 16/32-Bit |
Velocità | 50MHz |
Connettività | EBI/EMI, I²C, IEBus, UART/USART |
periferiche | DMA, LVD, PWM, WDT |
Numero di I / O | 82 |
Dimensione della memoria del programma | 512KB (512K x 8) |
Programma tipo di memoria | FLASH |
Dimensione EEPROM | - |
Dimensione RAM | 63K x 8 |
Tensione - Alimentazione (Vcc / Vdd) | 3V ~ 5.5V |
Convertitori di dati | A/D 26x10b; D/A 2x8b |
Tipo di oscillatore | Internal |
temperatura di esercizio | -20°C ~ 85°C (TA) |
Pacchetto / caso | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 100-TFLGA |
100-TFLGA (5.5x5.5) | |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
R5F64112NLG#U0 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | R5F64112NLG#U0-FT |
DF2326VTE25V
Renesas Electronics America
DF2328BVTE25V
Renesas Electronics America
DF2328VTE25APV
Renesas Electronics America
DF2328VTE25V
Renesas Electronics America
DF2329BVTE25V
Renesas Electronics America
DF2329EVTE25V
Renesas Electronics America
DF2329VTE25V
Renesas Electronics America
DF2357TE20IV
Renesas Electronics America
DF2357TE20V
Renesas Electronics America
DF2357VTE13V
Renesas Electronics America
XC7A25T-1CSG325I
Xilinx Inc.
A42MX09-2VQG100I
Microsemi Corporation
EP4CE40F23C6
Intel
5SGXMA5H3F35I4
Intel
XC4003E-4PC84I
Xilinx Inc.
XCS05XL-5PC84C
Xilinx Inc.
APA075-TQ100
Microsemi Corporation
A40MX02-2PQG100
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HC-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115R3F40I3SGES
Intel