casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Embedded - Microcontrollori / R5F64111NLG#U0
codice articolo del costruttore | R5F64111NLG#U0 |
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Numero di parte futuro | FT-R5F64111NLG#U0 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | M16C/R32C/100/111 |
R5F64111NLG#U0 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Processore principale | R32C/100 |
Dimensione del nucleo | 16/32-Bit |
Velocità | 50MHz |
Connettività | EBI/EMI, I²C, IEBus, UART/USART |
periferiche | DMA, LVD, PWM, WDT |
Numero di I / O | 82 |
Dimensione della memoria del programma | 384KB (384K x 8) |
Programma tipo di memoria | FLASH |
Dimensione EEPROM | - |
Dimensione RAM | 63K x 8 |
Tensione - Alimentazione (Vcc / Vdd) | 3V ~ 5.5V |
Convertitori di dati | A/D 26x10b; D/A 2x8b |
Tipo di oscillatore | Internal |
temperatura di esercizio | -20°C ~ 85°C (TA) |
Pacchetto / caso | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 100-TFLGA |
100-TFLGA (5.5x5.5) | |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
R5F64111NLG#U0 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | R5F64111NLG#U0-FT |
DF2215TE16V
Renesas Electronics America
DF2326VTE25V
Renesas Electronics America
DF2328BVTE25V
Renesas Electronics America
DF2328VTE25APV
Renesas Electronics America
DF2328VTE25V
Renesas Electronics America
DF2329BVTE25V
Renesas Electronics America
DF2329EVTE25V
Renesas Electronics America
DF2329VTE25V
Renesas Electronics America
DF2357TE20IV
Renesas Electronics America
DF2357TE20V
Renesas Electronics America
XC2VP2-5FGG456C
Xilinx Inc.
LFE2M70SE-5F1152I
Lattice Semiconductor Corporation
10CX105YF780I5G
Intel
EP4CE22E22I8L
Intel
5SGSMD5H3F35I3N
Intel
EP4SE360F35I3
Intel
XC2VP7-5FF672C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXBC9E7F31C8N
Intel
EP1C4F324C6
Intel