casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / R5030810RSWA
codice articolo del costruttore | R5030810RSWA |
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Numero di parte futuro | FT-R5030810RSWA |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
R5030810RSWA Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard, Reverse Polarity |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 800V |
Corrente: media rettificata (Io) | 100A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 2.7V @ 100A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 300ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 45mA @ 800V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Chassis, Stud Mount |
Pacchetto / caso | DO-205AA, DO-8, Stud |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-205AA (DO-8) |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
R5030810RSWA Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | R5030810RSWA-FT |
A177RN
Powerex Inc.
A177RP
Powerex Inc.
A177RPB
Powerex Inc.
A177RPD
Powerex Inc.
A180B
Powerex Inc.
A180D
Powerex Inc.
A180M
Powerex Inc.
A180N
Powerex Inc.
A180P
Powerex Inc.
A180PB
Powerex Inc.
LCMXO2-1200ZE-3TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1200E-4FG320C
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FGG456C
Xilinx Inc.
A1010B-2PL68I
Microsemi Corporation
5SGXMA3K2F40I3N
Intel
5SEEBF45I3N
Intel
5SGXEA5K3F35I3N
Intel
XC4013XL-1BG256I
Xilinx Inc.
XC4VFX60-10FFG1152C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-3B256I
Lattice Semiconductor Corporation