codice articolo del costruttore | A180M |
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Numero di parte futuro | FT-A180M |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
A180M Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 150A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 150A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 20mA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Chassis, Stud Mount |
Pacchetto / caso | DO-205AA, DO-8, Stud |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-205AA (DO-8) |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 200°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
A180M Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | A180M-FT |
1N3290AR
Powerex Inc.
1N3291
Microsemi Corporation
1N3291R
Microsemi Corporation
1N3292
Microsemi Corporation
1N3292A
Powerex Inc.
1N3292AR
Powerex Inc.
1N3292R
Microsemi Corporation
1N3293
Microsemi Corporation
1N3293R
Microsemi Corporation
1N3294
Microsemi Corporation
XC4005E-1PQ100C
Xilinx Inc.
XCV300E-7FG256I
Xilinx Inc.
EP20K300EBC672-2X
Intel
EPF10K200SFC484-2X
Intel
EP4SE530H40I3N
Intel
XC7K325T-1FF900C
Xilinx Inc.
APA075-TQG100
Microsemi Corporation
LFEC15E-4FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX016E4F29I3LG
Intel
EP1SGX25DF1020C6
Intel