casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / QS8K13TCR
codice articolo del costruttore | QS8K13TCR |
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Numero di parte futuro | FT-QS8K13TCR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
QS8K13TCR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Standard |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 6A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28 mOhm @ 6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 390pF @ 10V |
Potenza - Max | 550mW |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SMD, Flat Lead |
Pacchetto dispositivo fornitore | TSMT8 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
QS8K13TCR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | QS8K13TCR-FT |
STS2DPF80
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STS3C2F100
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STS3DNE60L
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STS4DNF60
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STS4DPF30L
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LCMXO2-2000HC-5TG100I
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A42MX36-3BG272
Microsemi Corporation
A3P125-2VQ100I
Microsemi Corporation
5SGXEA7N3F40C4N
Intel
XCKU3P-2FFVD900I
Xilinx Inc.
LFE3-35EA-6LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200HC-5MG132CR1
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX190FF35C6
Intel
EPF10K130EBC356-1
Intel
5SGXEA3H3F35I3L
Intel