casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / QS8K11TCR
codice articolo del costruttore | QS8K11TCR |
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Numero di parte futuro | FT-QS8K11TCR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
QS8K11TCR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3.5A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50 mOhm @ 3.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.3nC @ 5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 180pF @ 10V |
Potenza - Max | 1.5W |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SMD, Flat Lead |
Pacchetto dispositivo fornitore | TSMT8 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
QS8K11TCR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | QS8K11TCR-FT |
STS1DN45K3
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