casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / QS6M3TR
codice articolo del costruttore | QS6M3TR |
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Numero di parte futuro | FT-QS6M3TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
QS6M3TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Tipo FET | N and P-Channel |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V, 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 1.5A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 230 mOhm @ 1.5A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.6nC @ 4.5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 80pF @ 10V |
Potenza - Max | 1.25W |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TSMT6 (SC-95) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
QS6M3TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | QS6M3TR-FT |
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