casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / STL13DP10F6
codice articolo del costruttore | STL13DP10F6 |
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Numero di parte futuro | FT-STL13DP10F6 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | DeepGATE™, STripFET™ VI |
STL13DP10F6 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 13A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180 mOhm @ 1.7A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16.5nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 864pF @ 25V |
Potenza - Max | 62.5W |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-PowerVDFN |
Pacchetto dispositivo fornitore | PowerFlat™ (5x6) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STL13DP10F6 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | STL13DP10F6-FT |
SSM6N357R,LF
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