casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / QS6J1TR
codice articolo del costruttore | QS6J1TR |
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Numero di parte futuro | FT-QS6J1TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
QS6J1TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 1.5A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 215 mOhm @ 1.5A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3nC @ 4.5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 270pF @ 10V |
Potenza - Max | 1.25W |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TSMT6 (SC-95) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
QS6J1TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | QS6J1TR-FT |
STS7C4F30L
STMicroelectronics
STS8DNF3LL
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STS8DNH3LL
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STS9D8NH3LL
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FDZ1905PZ
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STL13DP10F6
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STL20DN10F7
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STL36DN6F7
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STL40C30H3LL
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STL50DN6F7
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XC2S15-5TQG144I
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XC4005XL-1PQ100C
Xilinx Inc.
M1A3PE1500-FG484
Microsemi Corporation
A54SX72A-PQG208I
Microsemi Corporation
A54SX16P-1VQG100
Microsemi Corporation
EP3CLS100F484I7
Intel
EP4CE15E22I8L
Intel
LCMXO2-7000ZE-1FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090R4F40E3SG
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EP20K400EBC652-2
Intel