casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / QS6J11TR
codice articolo del costruttore | QS6J11TR |
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Numero di parte futuro | FT-QS6J11TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
QS6J11TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 105 mOhm @ 2A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.5nC @ 4.5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 770pF @ 6V |
Potenza - Max | 600mW |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TSMT6 (SC-95) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
QS6J11TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | QS6J11TR-FT |
STS5DNF20V
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XC2S150-6PQG208C
Xilinx Inc.
XC3S1400A-4FGG484I
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XC7K355T-2FF901I
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LFE3-150EA-7FN1156I
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Lattice Semiconductor Corporation