casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / RAL045P01TCR
codice articolo del costruttore | RAL045P01TCR |
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Numero di parte futuro | FT-RAL045P01TCR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RAL045P01TCR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4.5A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30 mOhm @ 4.5A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | -8V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4200pF @ 6V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1W (Ta) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | TUMT6 |
Pacchetto / caso | 6-SMD, Flat Leads |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RAL045P01TCR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RAL045P01TCR-FT |
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