casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MSAD36-12
codice articolo del costruttore | MSAD36-12 |
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Numero di parte futuro | FT-MSAD36-12 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MSAD36-12 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Anode |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 36A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 100A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5mA @ 1200V |
Temperatura operativa - Giunzione | - |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | D1 |
Pacchetto dispositivo fornitore | D1 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MSAD36-12 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MSAD36-12-FT |
MBRF10100CTC0
Taiwan Semiconductor Corporation
MBRF10150CTC0
Taiwan Semiconductor Corporation
MBRF10200CT-LJ
Diodes Incorporated
MBRF10200CTC0
Taiwan Semiconductor Corporation
MBRF1040CT-JT
Diodes Incorporated
MBRF1045CT-JT
Diodes Incorporated
MBRF10H150CT1E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRF15H35CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRF15H35CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRF15H50CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
EP2C5T144I8
Intel
A1020B-2PQG100I
Microsemi Corporation
EP3SL50F484C3N
Intel
5SGXEA7K2F40I2N
Intel
EP2AGX45DF25C6
Intel
XC4028EX-3HQ208C
Xilinx Inc.
LFXP20C-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12SE-6FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K1F35E1SG
Intel
EP3SE80F780C4N
Intel