casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / QJD1210SA1
codice articolo del costruttore | QJD1210SA1 |
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Numero di parte futuro | FT-QJD1210SA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
QJD1210SA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Standard |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 100A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17 mOhm @ 100A, 15V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.6V @ 34mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 330nC @ 15V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 8200pF @ 10V |
Potenza - Max | 520W |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
QJD1210SA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | QJD1210SA1-FT |
FF8MR12W2M1B11BOMA1
Infineon Technologies
FMK75-01F
IXYS
FMM110-015X2F
IXYS
FMM150-0075P
IXYS
FMM300-0055P
IXYS
FMM65-015P
IXYS
FMP36-015P
IXYS
FMP76-010T
IXYS
FS45MR12W1M1B11BOMA1
Infineon Technologies
FW216A-TL-2WX
ON Semiconductor
APA075-TQ144I
Microsemi Corporation
XCKU035-3FBVA676E
Xilinx Inc.
XC2S30-5VQG100C
Xilinx Inc.
APA600-CGS624M
Microsemi Corporation
AGLE3000V2-FG484I
Microsemi Corporation
EP2S15F672C3
Intel
EP3SL70F484C2
Intel
A40MX02-PQG100
Microsemi Corporation
10AX115N4F40I4SGES
Intel
EPF10K70RC240-2N
Intel