casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / QH8MA4TCR
codice articolo del costruttore | QH8MA4TCR |
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Numero di parte futuro | FT-QH8MA4TCR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
QH8MA4TCR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N and P-Channel |
Caratteristica FET | Standard |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 9A, 8A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16 mOhm @ 9A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15.5nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 640pF @ 15V |
Potenza - Max | 1.5W |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SMD, Flat Lead |
Pacchetto dispositivo fornitore | TSMT8 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
QH8MA4TCR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | QH8MA4TCR-FT |
STS2DNF30L
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XC3S1500-5FGG320C
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XA6SLX16-2FTG256I
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XC2S200-6FGG256C
Xilinx Inc.
AT40K10-2DQI
Microchip Technology
5SGXMA7N3F45C3
Intel
5SGXMA9N2F45I2N
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XC7VX690T-1FFG1930C
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LCMXO2-1200HC-4MG132CR1
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LCMXO2-1200HC-4MG132IR1
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EP3SE50F780C4L
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