casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / QH8MA3TCR
codice articolo del costruttore | QH8MA3TCR |
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Numero di parte futuro | FT-QH8MA3TCR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
QH8MA3TCR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N and P-Channel |
Caratteristica FET | Standard |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 7A, 5.5A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 29 mOhm @ 7A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.2nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 300pF @ 15V |
Potenza - Max | 1.5W |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SMD, Flat Lead |
Pacchetto dispositivo fornitore | TSMT8 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
QH8MA3TCR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | QH8MA3TCR-FT |
STS1DNC45
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STS2DNF30L
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STS2DPF80
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XCKU035-2FBVA900I
Xilinx Inc.
XC3S400-4FG456C
Xilinx Inc.
M1AGL1000V2-FG484
Microsemi Corporation
EP4CE6E22C6N
Intel
5SGSMD6N3F45C2N
Intel
XC7VX550T-L2FFG1158E
Xilinx Inc.
XC6SLX9-L1CSG225I
Xilinx Inc.
A40MX02-1PQG100M
Microsemi Corporation
LFE2-6E-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMB7G4F35C5N
Intel