casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / QH8MA2TCR
codice articolo del costruttore | QH8MA2TCR |
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Numero di parte futuro | FT-QH8MA2TCR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
QH8MA2TCR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N and P-Channel |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4.5A, 3A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35 mOhm @ 4.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.4nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 365pF @ 10V |
Potenza - Max | 1.25W |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SMD, Flat Lead |
Pacchetto dispositivo fornitore | TSMT8 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
QH8MA2TCR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | QH8MA2TCR-FT |
STL66DN3LLH5
STMicroelectronics
STS1DNC45
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STS2DNF30L
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STS10DN3LH5
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STS5DPF20L
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STS8C5H30L
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STS8DN3LLH5
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STS5DNF60L
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STS1DN45K3
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XA3S250E-4TQG144Q
Xilinx Inc.
EP20K100ETC144-3
Intel
XC3S400-4FT256I
Xilinx Inc.
XA7A35T-1CSG325I
Xilinx Inc.
LCMXO3LF-2100E-5UWG49CTR1K
Lattice Semiconductor Corporation
A1010B-2PLG44I
Microsemi Corporation
XC7VX415T-1FFG1157I
Xilinx Inc.
5AGXMB3G4F35I5G
Intel
EP1C6Q240C8
Intel
EP20K100EQC240-1X
Intel