casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array, pre-polarizzat / PUMH9,165
codice articolo del costruttore | PUMH9,165 |
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Numero di parte futuro | FT-PUMH9,165 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PUMH9,165 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 5mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 100mV @ 250µA, 5mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 1µA |
Frequenza - Transizione | - |
Potenza - Max | 300mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Pacchetto dispositivo fornitore | 6-TSSOP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PUMH9,165 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PUMH9,165-FT |
PRMD12Z
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PRMD13Z
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PRMD16Z
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PRMD3Z
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PRMH10Z
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PRMD2Z
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EX128-PTQ64I
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XC6SLX150T-2FGG676I
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M2GL090-1FCSG325I
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A54SX32A-1TQG176
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EP4CE6F17I7
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XC6VLX240T-1FFG784C
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XC7K325T-1FF900C
Xilinx Inc.
M2GL060-FGG676
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AGL125V5-QNG132
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5CEBA5U19C7N
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