casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array, pre-polarizzat / PRMD13Z
codice articolo del costruttore | PRMD13Z |
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Numero di parte futuro | FT-PRMD13Z |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
PRMD13Z Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 10mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 100mV @ 250µA, 5mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 1µA |
Frequenza - Transizione | 230MHz |
Potenza - Max | 480mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 6-XFDFN Exposed Pad |
Pacchetto dispositivo fornitore | DFN1412-6 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PRMD13Z Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PRMD13Z-FT |
DDA143TH-7
Diodes Incorporated
DDC142TH-7
Diodes Incorporated
EMF21-7
Diodes Incorporated
DCX143TK-7-F
Diodes Incorporated
DCX115EK-7-F
Diodes Incorporated
DCX144EK-7-F
Diodes Incorporated
DIMD10A-7
Diodes Incorporated
DCX124EK-7-F
Diodes Incorporated
DCX114TK-7-F
Diodes Incorporated
DCX114EK-7-F
Diodes Incorporated
LFXP2-5E-5TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200C-5T144C
Lattice Semiconductor Corporation
APA150-BGG456
Microsemi Corporation
5SGXEA3K3F35C2N
Intel
XC4020XL-09BG256C
Xilinx Inc.
XCV50-5BG256I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FG144
Microsemi Corporation
10AX066K1F35E1SG
Intel
EP1C4F400C8N
Intel
EP4CGX22CF19I7
Intel