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codice articolo del costruttore | PT10-530-VM |
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Numero di parte futuro | FT-PT10-530-VM |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | PT |
PT10-530-VM Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Toroidal |
Materiale: core | Iron Powder |
Induttanza | 10µH |
Tolleranza | ±15% |
Valutazione attuale | 4.9A |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 20 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | - |
Frequenza di induttanza - Test | 1kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Radial |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.580" L x 0.340" W (14.73mm x 8.64mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.640" (16.26mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PT10-530-VM Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PT10-530-VM-FT |
PA1320.301NLT
Pulse Electronics Power
PA1894.271NL
Pulse Electronics Power
PA1894.331NL
Pulse Electronics Power
PA2050.233NL
Pulse Electronics Power
PA2050.273NL
Pulse Electronics Power
PA2050.313NL
Pulse Electronics Power
PA2050.363NL
Pulse Electronics Power
PA2050.393NL
Pulse Electronics Power
PA2050.582NL
Pulse Electronics Power
PA2080.191NL
Pulse Electronics Power
XCS05-3VQ100C
Xilinx Inc.
XC7S75-2FGGA676C
Xilinx Inc.
AGLN250V2-ZCSG81I
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQ208
Microsemi Corporation
EP20K400EFC672-1
Intel
XC7K410T-L2FFG676I
Xilinx Inc.
A54SX16A-TQ100
Microsemi Corporation
AT40K05AL-1AJC
Microchip Technology
EP1S40F780C8N
Intel
EPF10K100ABI356-3N
Intel