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codice articolo del costruttore | PSMN8R5-100PSQ |
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Numero di parte futuro | FT-PSMN8R5-100PSQ |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PSMN8R5-100PSQ Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 100A (Tj) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.5 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 111nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 5512pF @ 50V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 263W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PSMN8R5-100PSQ Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PSMN8R5-100PSQ-FT |
FDPF33N25TRDTU
ON Semiconductor
FDPF51N25RDTU
ON Semiconductor
FDPF44N25TRDTU
ON Semiconductor
FDPF5N50TYDTU
ON Semiconductor
MTY100N10E
ON Semiconductor
NTY100N10
ON Semiconductor
NTY100N10G
ON Semiconductor
PH1225AL,115
Nexperia USA Inc.
PH1330AL,115
Nexperia USA Inc.
PSMN0R9-30YLDX
Nexperia USA Inc.
XC4052XL-2HQ304I
Xilinx Inc.
EP3SL200F1517I4
Intel
XC2V1000-5BGG575I
Xilinx Inc.
LFXP6E-4FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-17E-6QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-1300E-5MG121C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX016E4F29E3SG
Intel
EP3C120F780I7
Intel
EPF8452AQC160-3
Intel
5SGSMD3H2F35C1N
Intel