casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / NVMFS6B05NLT3G
codice articolo del costruttore | NVMFS6B05NLT3G |
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Numero di parte futuro | FT-NVMFS6B05NLT3G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
NVMFS6B05NLT3G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | - |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.6 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.8nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±16V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3980pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 3.8W (Ta), 165W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NVMFS6B05NLT3G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NVMFS6B05NLT3G-FT |
NVMFS5C430NLT1G
ON Semiconductor
NVMFS5C430NLT3G
ON Semiconductor
NVMFS5C430NLWFAFT3G
ON Semiconductor
NVMFS5C430NLWFT1G
ON Semiconductor
NVMFS5C430NLWFT3G
ON Semiconductor
NVMFS5C430NT1G
ON Semiconductor
NVMFS5C430NT3G
ON Semiconductor
NVMFS5C430NWFAFT3G
ON Semiconductor
NVMFS5C430NWFT1G
ON Semiconductor
NVMFS5C430NWFT3G
ON Semiconductor
A40MX02-VQG80M
Microsemi Corporation
EX128-PTQG64
Microsemi Corporation
5SGXEA7N1F40C2
Intel
EP4SGX530KF43C3
Intel
A40MX04-3PLG44
Microsemi Corporation
XC5VLX220T-1FFG1738I
Xilinx Inc.
LFEC6E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50SBC356-2
Intel
EP20K60EFC324-1
Intel
EP2S60F1020C5
Intel