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codice articolo del costruttore | PSMN3R0-30MLC,115 |
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Numero di parte futuro | FT-PSMN3R0-30MLC,115 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PSMN3R0-30MLC,115 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 70A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.15 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.15V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 34.8nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2330pF @ 15V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 88W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | LFPAK33 |
Pacchetto / caso | SOT-1210, 8-LFPAK33 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PSMN3R0-30MLC,115 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PSMN3R0-30MLC,115-FT |
RP1E070XNTCR
Rohm Semiconductor
RP1E075RPTR
Rohm Semiconductor
RP1E090RPTR
Rohm Semiconductor
RP1E090XNTCR
Rohm Semiconductor
RP1E100RPTR
Rohm Semiconductor
RP1E100XNTR
Rohm Semiconductor
RP1E125XNTR
Rohm Semiconductor
RP1H065SPTR
Rohm Semiconductor
RP1L055SNTR
Rohm Semiconductor
RP1L080SNTR
Rohm Semiconductor