casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / PSMN2R8-25MLC,115
codice articolo del costruttore | PSMN2R8-25MLC,115 |
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Numero di parte futuro | FT-PSMN2R8-25MLC,115 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PSMN2R8-25MLC,115 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 70A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.8 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.15V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 37.7nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2432pF @ 12.5V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 88W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | LFPAK33 |
Pacchetto / caso | SOT-1210, 8-LFPAK33 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PSMN2R8-25MLC,115 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PSMN2R8-25MLC,115-FT |
SCT2750NYTB
Rohm Semiconductor
RSY200N05TL
Rohm Semiconductor
RSY160P05TL
Rohm Semiconductor
RMW200N03TB
Rohm Semiconductor
RRS090P03TB1
Rohm Semiconductor
RRS100P03TB1
Rohm Semiconductor
SCT2H12NZGC11
Rohm Semiconductor
RMW130N03TB
Rohm Semiconductor
RMW150N03TB
Rohm Semiconductor
RMW180N03TB
Rohm Semiconductor
A3P060-1TQ144I
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M2GL025T-1FCSG325I
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M1A3P400-FG484
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LFE5UM-45F-8BG381C
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EPF10K130EFI484-2
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5SGXEA4K1F35C2N
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ICE40UL1K-CM36AI
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LFXP6C-5Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFB3H4F35C5N
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10AX016E3F27I1HG
Intel