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Rohm Semiconductor SCT2H12NZGC11

Numero parte MFG
SCT2H12NZGC11
quantità disponibile
85820 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 5
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fabbricante
Rohm Semiconductor
Breve descrizione
- MOSFET N-CH 1700V 3.7A
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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codice articolo del costruttore SCT2H12NZGC11
Numero di parte futuro FT-SCT2H12NZGC11
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie -
SCT2H12NZGC11 Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1700V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 3.7A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5 Ohm @ 1.1A, 18V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 900µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 18V
Vgs (massimo) +22V, -6V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 184pF @ 800V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 35W (Tc)
temperatura di esercizio 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore TO-3PFM
Pacchetto / caso TO-3PFM, SC-93-3
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SCT2H12NZGC11 Peso Contattaci
Numero parte di ricambio SCT2H12NZGC11-FT

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