casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / BUK9523-75A,127
codice articolo del costruttore | BUK9523-75A,127 |
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Numero di parte futuro | FT-BUK9523-75A,127 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchMOS™ |
BUK9523-75A,127 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 75V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 53A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (massimo) | ±10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3120pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 138W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BUK9523-75A,127 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BUK9523-75A,127-FT |
BUK652R3-40C,127
NXP USA Inc.
BUK652R6-40C,127
NXP USA Inc.
BUK652R7-30C,127
NXP USA Inc.
BUK653R2-55C,127
NXP USA Inc.
BUK653R4-40C,127
NXP USA Inc.
BUK653R5-55C,127
NXP USA Inc.
BUK653R7-30C,127
NXP USA Inc.
BUK654R0-75C,127
NXP USA Inc.
BUK654R6-55C,127
NXP USA Inc.
BUK654R8-40C,127
NXP USA Inc.
LCMXO2-640HC-6TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XA3S400A-4FTG256I
Xilinx Inc.
A54SX72A-1FG484M
Microsemi Corporation
A3P250-1FG256
Microsemi Corporation
ICE40UP3K-UWG30ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE530H35C4N
Intel
XC4VLX40-11FFG1148I
Xilinx Inc.
A3P1000-FGG144T
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C7
Intel