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NXP USA Inc. PSMN023-80LS,115

Numero parte MFG
PSMN023-80LS,115
quantità disponibile
25550 pezzi
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fabbricante
NXP USA Inc.
Breve descrizione
- MOSFET N-CH 80V 34A QFN3333
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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PSMN023-80LS,115 specificazioni

codice articolo del costruttore PSMN023-80LS,115
Numero di parte futuro FT-PSMN023-80LS,115
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie -
PSMN023-80LS,115 Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 80V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 34A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 23 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 21nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1295pF @ 40V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 65W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore 8-DFN3333 (3.3x3.3)
Pacchetto / caso 8-VDFN Exposed Pad
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
PSMN023-80LS,115 Peso Contattaci
Numero parte di ricambio PSMN023-80LS,115-FT

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