casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / PSMN015-60PS,127
codice articolo del costruttore | PSMN015-60PS,127 |
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Numero di parte futuro | FT-PSMN015-60PS,127 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PSMN015-60PS,127 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 50A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14.8 mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20.9nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1220pF @ 30V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 86W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PSMN015-60PS,127 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PSMN015-60PS,127-FT |
FDPF51N25RDTU
ON Semiconductor
FDPF44N25TRDTU
ON Semiconductor
FDPF5N50TYDTU
ON Semiconductor
MTY100N10E
ON Semiconductor
NTY100N10
ON Semiconductor
NTY100N10G
ON Semiconductor
PH1225AL,115
Nexperia USA Inc.
PH1330AL,115
Nexperia USA Inc.
PSMN0R9-30YLDX
Nexperia USA Inc.
PSMN1R6-40YLC,115
Nexperia USA Inc.
XC4005E-2TQ144I
Xilinx Inc.
M1A3P400-2PQ208
Microsemi Corporation
M2GL050-VFG400I
Microsemi Corporation
5SGSMD4K2F40I3LN
Intel
5SGXMABN2F45I3N
Intel
5SGXMB6R2F43C3N
Intel
EP3SE260F1152I4N
Intel
LFEC1E-3Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95E-8FN672I
Lattice Semiconductor Corporation