casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array, pre-polarizzat / PQMB11Z
codice articolo del costruttore | PQMB11Z |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-PQMB11Z |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
PQMB11Z Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | 2 PNP Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 1µA |
Frequenza - Transizione | 180MHz |
Potenza - Max | 230mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 6-XFDFN Exposed Pad |
Pacchetto dispositivo fornitore | DFN1010B-6 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PQMB11Z Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PQMB11Z-FT |
MUN5315DW1T1
ON Semiconductor
MUN5316DW1T1
ON Semiconductor
MUN5331DW1T1G
ON Semiconductor
MUN5332DW1T1
ON Semiconductor
MUN5332DW1T1G
ON Semiconductor
MUN5333DW1T1
ON Semiconductor
MUN5334DW1T1G
ON Semiconductor
NSB13211DW6T1G
ON Semiconductor
NSM11156DW6T1G
ON Semiconductor
NSM21156DW6T1G
ON Semiconductor
XC2S100-5PQ208I
Xilinx Inc.
M1AFS250-FG256
Microsemi Corporation
LFE5UM-45F-8BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA5K3F40C4N
Intel
10CX150YF672I5G
Intel
5SGSMD6N1F45C2LN
Intel
XC4VLX100-12FF1148C
Xilinx Inc.
M7A3P1000-FGG144I
Microsemi Corporation
EPF10K50RC240-4
Intel
EP20K100QC208-3V
Intel