casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / SET031012
codice articolo del costruttore | SET031012 |
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Numero di parte futuro | FT-SET031012 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SET031012 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | - |
Diodo | - |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 15A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 9A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 2µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 600V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SET031012 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SET031012-FT |
S1KW24C-3D
Semtech Corporation
S1KW24C-3N
Semtech Corporation
S1KW24C-3P
Semtech Corporation
S1KW32C-4D
Semtech Corporation
S1KW32C-4N
Semtech Corporation
S1KW32C-4P
Semtech Corporation
S1KW40C-5D
Semtech Corporation
S1KW40C-5N
Semtech Corporation
S1KW40C-5P
Semtech Corporation
S1KW48C-6D
Semtech Corporation
XC2V80-5FGG256C
Xilinx Inc.
XC6VLX130T-3FFG484C
Xilinx Inc.
A54SX72A-FGG484
Microsemi Corporation
AFS250-1FG256I
Microsemi Corporation
A3P1000-1PQG208
Microsemi Corporation
EP3CLS70U484C8N
Intel
5SGSMD4K3F40I3L
Intel
EP2AGX65DF25C4G
Intel
EP3SE260F1152I4N
Intel
EP2AGX95EF35C6N
Intel