codice articolo del costruttore | PN2369 |
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Numero di parte futuro | FT-PN2369 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PN2369 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 200mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 15V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 400nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 10mA, 1V |
Potenza - Max | 350mW |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-92-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PN2369 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PN2369-FT |
MPS6562
ON Semiconductor
MPS6601
ON Semiconductor
MPS6601G
ON Semiconductor
MPS6602
ON Semiconductor
MPS6602G
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MPS751G
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A1010B-1VQ80I
Microsemi Corporation
EX128-PTQG100I
Microsemi Corporation
XC2V500-4FGG456C
Xilinx Inc.
A54SX32A-CQ208M
Microsemi Corporation
EP4CE75F23I8LN
Intel
EPF10K30AFC256-3
Intel
10CL006YE144C8G
Intel
XC6VLX240T-1FFG1759C
Xilinx Inc.
APA300-FGG144M
Microsemi Corporation
LFE3-150EA-7LFN1156I
Lattice Semiconductor Corporation