casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / MPS6601G
codice articolo del costruttore | MPS6601G |
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Numero di parte futuro | FT-MPS6601G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MPS6601G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 1A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 25V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 100mA, 1A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 500mA, 1V |
Potenza - Max | 625mW |
Frequenza - Transizione | 100MHz |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-92-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MPS6601G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MPS6601G-FT |
KSC2310YTA
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KSC2316OTA
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KSC2330RTA
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KSC2331OTA
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KSC2331YSHTA
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KSC2500BTA
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KSC2500CTA
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KSC2500DTA
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KSC388CYBU
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KSC388YBU
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XA7A100T-1FGG484I
Xilinx Inc.
A3PE600-1FG484I
Microsemi Corporation
EP4CE10F17C8LN
Intel
5SGXEA4H2F35C1N
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EP3SE110F1152C2N
Intel
XCS10XL-5PC84C
Xilinx Inc.
XC4VLX25-11FFG676I
Xilinx Inc.
M2GL060T-FGG676
Microsemi Corporation
LFE3-70E-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S60B956C7
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