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NXP USA Inc. PHK28NQ03LT,518

Numero parte MFG
PHK28NQ03LT,518
quantità disponibile
93660 pezzi
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fabbricante
NXP USA Inc.
Breve descrizione
TrenchMOS™ MOSFET N-CH 30V 23.7A 8SOIC
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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Numero di parte futuro FT-PHK28NQ03LT,518
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie TrenchMOS™
PHK28NQ03LT,518 Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 23.7A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.5 mOhm @ 14A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30.3nC @ 4.5V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2800pF @ 20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 6.25W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO
Pacchetto / caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
PHK28NQ03LT,518 Peso Contattaci
Numero parte di ricambio PHK28NQ03LT,518-FT

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