casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / PMZB150UNEYL
codice articolo del costruttore | PMZB150UNEYL |
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Numero di parte futuro | FT-PMZB150UNEYL |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PMZB150UNEYL Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 1.5A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 200 mOhm @ 1.5A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 950mV @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.6nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±8V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 93pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 350mW (Ta), 6.25W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | DFN1006B-3 |
Pacchetto / caso | 3-XFDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PMZB150UNEYL Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PMZB150UNEYL-FT |
PHK28NQ03LT,518
NXP USA Inc.
PHK31NQ03LT,518
Nexperia USA Inc.
PHK4NQ10T,518
NXP USA Inc.
PHK4NQ20T,518
NXP USA Inc.
PHK5NQ15T,518
Nexperia USA Inc.
PMK30EP,518
Nexperia USA Inc.
PMK35EP,518
Nexperia USA Inc.
PMK50XP,518
Nexperia USA Inc.
PSMN005-30K,518
Nexperia USA Inc.
PSMN006-20K,518
Nexperia USA Inc.
XCV200-5FG256I
Xilinx Inc.
APA150-FGG256
Microsemi Corporation
M7A3P1000-FGG256I
Microsemi Corporation
A40MX04-1PL68
Microsemi Corporation
EP1M350F780C6
Intel
LCMXO2-2000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-40E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H1F34I1SG
Intel
EP1C6Q240C7N
Intel
EP1K100QC208-1GZ
Intel