casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / PMWD30UN,518
codice articolo del costruttore | PMWD30UN,518 |
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Numero di parte futuro | FT-PMWD30UN,518 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchMOS™ |
PMWD30UN,518 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 5A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 33 mOhm @ 3.5A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 700mV @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 28nC @ 5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1478pF @ 10V |
Potenza - Max | 2.3W |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-TSSOP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PMWD30UN,518 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PMWD30UN,518-FT |
SI6966DQ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI6966EDQ-T1-E3
Vishay Siliconix
SI6966EDQ-T1-GE3
Vishay Siliconix
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Vishay Siliconix
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Vishay Siliconix
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Vishay Siliconix
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Vishay Siliconix
SI6969DQ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI6973DQ-T1-E3
Vishay Siliconix
LFE2-20E-6QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
AGL400V5-FG256
Microsemi Corporation
EP20K200EFC672-2
Intel
EP1S10B672C6
Intel
EP3SE50F484C2N
Intel
5SGXMA7H2F35I3LN
Intel
XC4020E-2HQ208I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000ZE-3BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S40F1508C7N
Intel
EP3SL150F780I3
Intel