casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / PMV120ENEAR
codice articolo del costruttore | PMV120ENEAR |
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Numero di parte futuro | FT-PMV120ENEAR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
PMV120ENEAR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2.1A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 123 mOhm @ 2.1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.7V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.4nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 275pF @ 30V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 513mW (Ta), 6.4W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-236AB |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PMV120ENEAR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PMV120ENEAR-FT |
PSMN4R6-60BS,118
Nexperia USA Inc.
PSMN4R8-100BSEJ
Nexperia USA Inc.
PSMN5R0-80BS,118
Nexperia USA Inc.
PSMN7R6-100BSEJ
Nexperia USA Inc.
PSMN7R6-60BS,118
Nexperia USA Inc.
PSMN8R0-40BS,118
Nexperia USA Inc.
PMCM6501UPEZ
Nexperia USA Inc.
PMCM6501VNEZ
Nexperia USA Inc.
PMCM4401UNEZ
Nexperia USA Inc.
PMCM4401VPEZ
Nexperia USA Inc.
XCS20XL-4VQ100C
Xilinx Inc.
XC6SLX150-3FG484I
Xilinx Inc.
A42MX36-1PQG240
Microsemi Corporation
A3P1000-2FGG484I
Microsemi Corporation
XC4020E-4HQ208I
Xilinx Inc.
XC7VX690T-1FFG1930C
Xilinx Inc.
A42MX09-TQ176
Microsemi Corporation
M1A3P1000L-FGG144
Microsemi Corporation
ICE40UL1K-CM36AITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX230HF35C2
Intel