casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / PSMN4R8-100BSEJ
codice articolo del costruttore | PSMN4R8-100BSEJ |
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Numero di parte futuro | FT-PSMN4R8-100BSEJ |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PSMN4R8-100BSEJ Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 120A (Tj) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.8 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 278nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 14400pF @ 50V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 405W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | D2PAK |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PSMN4R8-100BSEJ Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PSMN4R8-100BSEJ-FT |
BUK762R7-30B,118
Nexperia USA Inc.
BUK7631-100E,118
Nexperia USA Inc.
BUK763R4-30B,118
Nexperia USA Inc.
BUK763R6-40C,118
Nexperia USA Inc.
BUK7640-100A,118
Nexperia USA Inc.
BUK764R0-40E,118
Nexperia USA Inc.
BUK764R2-80E,118
Nexperia USA Inc.
BUK764R3-40B,118
NXP USA Inc.
BUK766R0-60E,118
Nexperia USA Inc.
BUK7675-100A,118
Nexperia USA Inc.
XC6SLX150-3FG676I
Xilinx Inc.
XC3S1400A-5FG484C
Xilinx Inc.
AGL600V5-FG484I
Microsemi Corporation
LAXP2-8E-5FTN256E
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200HC-5SG32C
Lattice Semiconductor Corporation
A40MX04-3PL68I
Microsemi Corporation
5SGSED8N2F45I2
Intel
5SGXEBBR2H43I3L
Intel
LFEC10E-3F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K10QC208-3N
Intel