casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / PMV130ENEAR
codice articolo del costruttore | PMV130ENEAR |
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Numero di parte futuro | FT-PMV130ENEAR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PMV130ENEAR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2.1A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120 mOhm @ 1.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.6nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 170pF @ 20V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 460mW (Ta), 5W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-236AB |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PMV130ENEAR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PMV130ENEAR-FT |
PHB73N06T,118
NXP USA Inc.
PHB78NQ03LT,118
NXP USA Inc.
PHB95NQ04LT,118
NXP USA Inc.
PHB96NQ03LT,118
NXP USA Inc.
PSMN003-30B,118
NXP USA Inc.
PSMN004-36B,118
NXP USA Inc.
PSMN004-60B,118
Nexperia USA Inc.
PSMN005-55B,118
NXP USA Inc.
PSMN005-75B,118
Nexperia USA Inc.
PSMN008-75B,118
Nexperia USA Inc.
A3P030-2QNG68I
Microsemi Corporation
A1425A-1PQ100I
Microsemi Corporation
XC4052XL-09HQ304C
Xilinx Inc.
A3P125-2PQ208I
Microsemi Corporation
A3P250L-VQG100I
Microsemi Corporation
EP3CLS100F484C7
Intel
EP2AGX125DF25C4N
Intel
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Intel
5CEBA5U19C8N
Intel
EP1C20F324I7N
Intel