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NXP USA Inc. PMPB20UN,115

Numero parte MFG
PMPB20UN,115
quantità disponibile
45790 pezzi
Prezzo di riferimento
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fabbricante
NXP USA Inc.
Breve descrizione
- MOSFET N-CH 20V 6.6A 6DFN
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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Numero di parte futuro FT-PMPB20UN,115
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie -
PMPB20UN,115 Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 6.6A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25 mOhm @ 6.6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.1nC @ 4.5V
Vgs (massimo) ±8V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 460pF @ 10V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore 6-DFN2020MD (2x2)
Pacchetto / caso 6-UDFN Exposed Pad
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
PMPB20UN,115 Peso Contattaci
Numero parte di ricambio PMPB20UN,115-FT

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