casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / 2SJ058200L
codice articolo del costruttore | 2SJ058200L |
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Numero di parte futuro | FT-2SJ058200L |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2SJ058200L Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2 Ohm @ 1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 400pF @ 20V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1W (Ta), 10W (Tc) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | U-G2 |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SJ058200L Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2SJ058200L-FT |
SCT2080KEC
Rohm Semiconductor
SCT2160KEC
Rohm Semiconductor
SCT3030ALGC11
Rohm Semiconductor
SCT3040KLGC11
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SCT3060ALGC11
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SCT3030KLGC11
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SCT2280KEC
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SCT3160KLGC11
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SCT3080KLGC11
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R6025FNZ1C9
Rohm Semiconductor
EP1C6T144C6
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LCMXO2-1200ZE-3TG144IR1
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A42MX09-FVQ100
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EP4CE10E22C7N
Intel
XC5VLX30-1FF676I
Xilinx Inc.
AGL600V2-FG144
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HC-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-8E-5MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA1D4F31I3N
Intel
EP4CE55F29C6
Intel